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用于对铜和铜合金选择性地进行蚀刻的蚀刻液和使用其的半导体基板的制造方法

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摘要

本发明涉及抑制镍、锡、金和它们的合金的溶解、且能对铜和铜合金选择性地进行蚀刻的蚀刻液。本发明的蚀刻液的特征在于，其包含：相对于蚀刻液的总质量为5～10.5质量％的(A)过氧化氢；相对于蚀刻液的总质量为0.3～6质量％的(B)硝酸；(C)任选具有取代基的、选自由三唑和四唑组成的组中的1种以上的含氮五元环化合物，所述取代基选自由碳数1～6的烷基、氨基、以及具有选自由碳数1～6的烷基和苯基组成的组中的取代基的取代氨基组成的组中的1种以上；以及(D)(d1)选自由碱金属氢氧化物、氨、胺和铵盐组成的组中的1种以上的pH调节剂、(d2)膦酸化合物或(d3)它们的组合。

著录项

公开/公告号CN113015823A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-22

原文格式PDF
申请/专利权人三菱瓦斯化学株式会社;
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申请/专利号CN201980074655.4
发明设计人深泽隼;藤井智子;松永裕嗣;
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申请日2019-11-19
分类号C23F1/18(20060101);H01L21/308(20060101);
代理机构11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人刘新宇;李茂家
地址日本东京都
入库时间 2023-06-19 11:32:36

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2023-05-30

授权

发明专利权授予

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