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确定影响电离辐射的像素化检测器的像素的偏置的方法

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摘要

一种用于确定影响电离辐射的检测器(1)的至少一个像素的偏置(βi,j)的方法，该检测器包括多个像素(10i,j)，每个像素被配置成收集由检测器中的电离辐射的相互作用所产生的电荷载流子(6)，并且在电荷载流子的产生和收集的作用下形成脉冲信号，像素被分布在矩阵阵列中，该方法包括：a)在检测器中发生相互作用之后，确定在检测时间间隔期间形成了超过幅度阈值的脉冲的像素；b)在步骤a)中所确定的每个像素中，选择产生最高幅度的关注像素；c)选择至少一个远端像素(10f)，该远端像素相对于关注像素的位置是预定的；d)测量由每个远端像素所产生的信号的幅度；e)基于在步骤d)中执行的每个测量，在检测时间针对每个远端像素确定偏置。

著录项

公开/公告号CN113031045A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-25

原文格式PDF
申请/专利权人原子能和替代能源委员会;
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申请/专利号CN202011545488.8
发明设计人西尔万·斯坦基纳;
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申请日2020-12-24
分类号G01T1/20(20060101);G01T1/16(20060101);
代理机构11413 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人罗小晨;谢攀
地址法国巴黎
入库时间 2023-06-19 11:35:49

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-12-20

实质审查的生效 IPC(主分类):G01T 1/20 专利申请号:2020115454888 申请日:20201224

实质审查的生效

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外文文献

1. 确定影响电离辐射的像素化检测器的像素的偏置的方法 [P] . 中国专利： CN113031045A . 2021-06-25
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3. METHOD FOR DETERMINING A BIAS AFFECTING PIXELS OF A PIXELATED DETECTOR OF IONIZING RADIATION [P] . US2021190980A1 . 2021-06-24

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