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一种利用聚焦离子束加工纳米双极电极阵列的方法及用途

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本发明涉及一种用聚焦离子束加工纳米双极电极阵列的方法，所述方法包括如下步骤：(1)在电极载体的一侧沉积10‑200nm的导电薄膜，之后采用聚焦离子束在沉积导电薄膜的对侧制备纳米孔阵列；(2)在步骤(1)所述纳米孔阵列中的孔洞内沉积电极材料，之后采用聚焦离子束对沉积电极材料的纳米孔阵列进行刻蚀，然后将步骤(1)沉积的导电薄膜去除，得到所述纳米双极电极阵列。本发明提供的纳米双极电极阵列的加工方法，可以增强其导电性，降低电荷累积现象，提高电子/离子束的成像分辨率。所述双电极阵列可以对细胞以及化学反应电信号的进行检测。

著录项

公开/公告号CN113125540A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-16

原文格式PDF
申请/专利权人南方科技大学;
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申请/专利号CN202110384288.7
发明设计人郝瑞;胡添翼;杨鸿成;李国鹏;
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申请日2021-04-09
分类号G01N27/327(20060101);
代理机构11332 北京品源专利代理有限公司;
代理人潘登
地址 518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
入库时间 2023-06-19 11:52:33

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2022-12-02

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发明专利权授予

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