公开/公告号CN113120244A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-16
原文格式PDF
申请/专利权人 成都飞机工业(集团)有限责任公司;
申请/专利号CN202110461730.1
申请日2021-04-27
分类号B64D33/02(20060101);F02M35/10(20060101);F02C7/04(20060101);B64F5/00(20170101);
代理机构51228 成都君合集专利代理事务所(普通合伙);
代理人尹新路
地址 610092 四川省成都市青羊区黄田坝纬一路88号
入库时间 2023-06-19 11:54:11
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-07-15
授权
发明专利权授予
机译: 具有改善操作性能的多发射极型双极结型晶体管,一种双极CMOS DMOS器件,一种制造多发射极型双极结型晶体管的方法以及一种制造双极CMOS DMOS的方法
机译: 多晶硅栅极扩展设计方法,可提高双应力衬里工艺流程中的CMOS性能
机译: 多晶硅栅极扩展设计方法,可提高双应力衬里工艺流程中的CMOS性能