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增强型HEMT的p型氮化物栅的制备方法及应用其制备增强型氮化物HEMT的方法

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本发明公开一种增强型HEMT的p型氮化物栅及增强型氮化物HEMT的制备方法，其中，该p型氮化物栅的制备方法在制备p型氮化物栅时，先在势垒层和p型氮化物层之间采用热脱附温度高于p型氮化物层的热脱附温度的材料制备第一保护层，且其厚度范围设置为1nm‑5nm，再通过高温热脱附去除栅极区域以外的p型氮化物层；在对栅极区域以外的p型氮化物层进行高温热脱附之前，还在栅极区域的p型氮化物层上设置采用耐高温介质材料制备的第二保护层。在第一保护层和第二保护层的保护作用下，可以通过高温热脱附对栅极区域以外的p型氮化物层进行选择性刻蚀，从而可以实现可重复且一致性较好的刻蚀效果，而且可以保证增强型氮化物HEMT性能的可靠性。

著录项

公开/公告号CN113140630A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-20

原文格式PDF
申请/专利权人广东省科学院半导体研究所;
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申请/专利号CN202110389654.8
发明设计人程川;刘宁炀;何晨光;李成果;陈志涛;李述体;姜南;
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申请日2021-04-12
分类号H01L29/778(20060101);H01L29/423(20060101);H01L21/335(20060101);
代理机构11400 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人李彬彬;陈莉娥
地址 510651 广东省广州市天河区长兴路363号
入库时间 2023-06-19 11:54:11

法律信息

法律状态公告日

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法律状态
2023-09-26

授权

发明专利权授予

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1. 增强型HEMT的p型氮化物栅的制备方法及应用其制备增强型氮化物HEMT的方法 [P] . 中国专利： CN113140630A . 2021-07-20
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