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层状三元过渡金属碲化物单晶体、其制备方法及其应用

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摘要

本发明提供了一种层状三元过渡金属碲化物单晶体的制备方法，包括以下步骤：将X粉末、M粉末、碲粉末与输运剂在真空密闭的环境中加热，反应，得到如式(Ⅰ)所示的层状三元过渡金属碲化物单晶体；本发明制备的层状三元过渡金属碲化物基单晶体可生长为针状单晶，带状单晶或片状单晶。本发明提供的制备方法具有工艺简单可行、产率高、结晶性好且可扩大规模生产的优点，非常适用于三元碲化物的基础研究和实际应用。

著录项

  • 公开/公告号CN113136624A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学技术大学;

    申请/专利号CN202010054340.8

  • 发明设计人 吴长征;郭宇桥;吴俊驰;谢毅;

    申请日2020-01-17

  • 分类号C30B29/46(20060101);C30B1/10(20060101);

  • 代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人付丽

  • 地址 230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号

  • 入库时间 2023-06-19 11:55:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-07-04

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B29/46 专利申请号:2020100543408 申请公布日:20210720

    发明专利申请公布后的驳回

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