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电测定型表面等离子体激元共振传感器、电测定型表面等离子体激元共振传感器芯片和表面等离子体激元共振变化的检测方法

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摘要

本发明提供一种电测定型表面等离子体激元共振传感器，具备等离子体激元共振增强传感器芯片和电测定装置，所述等离子体激元共振增强传感器芯片是将依次配置有电极、硅半导体膜和等离子体激元共振膜电极的传感器芯片与棱镜按照所述棱镜、所述电极、所述硅半导体膜和所述等离子体激元共振膜电极的顺序配置而成的，所述电测定装置由所述电极和所述等离子体激元共振膜电极直接测定电流或电压。

著录项

公开/公告号CN113167727A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-23

原文格式PDF
申请/专利权人 IMRA日本公司;
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申请/专利号CN202080003854.9
发明设计人阿姆里塔·萨纳;贾尔斯·阿莉森;铃木博纪;加藤英美;安藤正夫;维耶·强·莱;
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申请日2020-10-16
分类号G01N21/552(20140101);G01N27/00(20060101);
代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人金世煜;李书慧
地址日本北海道
入库时间 2023-06-19 11:55:48

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-04-12

专利申请权的转移 IPC(主分类):G01N21/552 专利申请号:2020800038549 登记生效日:20220330 变更事项:申请人变更前权利人:IMRA日本公司变更后权利人:株式会社爱信变更事项:地址变更前权利人:日本北海道变更后权利人:日本爱知县刈谷市

专利申请权、专利权的转移

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