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一种共掺杂氧化锌纳米线阵列及其制备方法、光电子器件

摘要

本发明提供了一种共掺杂氧化锌纳米线阵列及其制备方法、光电子器件,该制备方法包括以下步骤:提供一衬底;将金属氧化物以及还原剂混合,得到混合料;将衬底置于管式炉中的石英管内一侧,将混合料置于管式炉中的石英管内另一侧;向石英管内通入氮源,分别控制衬底、混合料为不同的温度并保温,反应后得到共掺杂氧化锌纳米线阵列。本方法通过在石英管内设置两个不同的温区,利用化学气相沉积法,生长金属和氮双元素共掺杂的氧化锌纳米线阵列,采用该方法实现了金属元素和N元素的双元素共掺氧化锌纳米线阵列的制备,拓宽了氧化锌基光电器件的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN113249785A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 湖北大学;

    申请/专利号CN202110460421.2

  • 申请日2021-04-27

  • 分类号C30B25/14(20060101);C30B25/16(20060101);C30B29/16(20060101);C30B31/16(20060101);C30B31/18(20060101);H01L21/02(20060101);H01L29/06(20060101);H01L33/26(20100101);B82Y10/00(20110101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);C01F3/02(20060101);C01G9/03(20060101);C01G15/00(20060101);

  • 代理机构11401 北京金智普华知识产权代理有限公司;

  • 代理人张文俊

  • 地址 430062 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号

  • 入库时间 2023-06-19 12:13:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-05-31

    授权

    发明专利权授予

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