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公开/公告号CN113271069A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-17
原文格式PDF
申请/专利权人 广东工业大学;
申请/专利号CN202110530579.2
发明设计人 钟经智;陈建强;张志浩;章国豪;
申请日2021-05-14
分类号H03F1/30(20060101);H03F3/189(20060101);
代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人陈嘉雯
地址 510060 广东省广州市越秀区东风东路729号大院
入库时间 2023-06-19 12:14:58
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-10-27
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H03F 1/30 专利申请号:2021105305792 申请公布日:20210817
发明专利申请公布后的驳回
机译: 射频功率放大器的电压偏置和温度补偿电路
机译: 射频功率放大器的偏置增强偏置电路。
机译: 射频功率放大器的偏置偏置电路
机译:带有L型衰减器的无偏置模拟预失真器,用于射频功率放大器
机译:基于HBT工艺的新型自适应电流偏置线性射频功率放大器
机译:基站射频功率放大器偏置
机译:TD-LTE系统的射频功率放大器偏置电路的开关特性
机译:高度线性和高效的射频功率放大器,采用新的电路合成技术。
机译:一种用于提高电感接近传感器测量精度的非线性温度补偿模型及其专用集成电路实现
机译:C类偏置射频功率放大器的计算机化研究
机译:具有NmR应用的输电线路射频功率放大器(高和低Q)和集中等效电路的设计