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雪崩光电二极管传感器和测距装置

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本发明旨在提高测距精度。根据本发明的雪崩光电二极管传感器包括第一半导体基板(51)和与所述第一半导体基板的第一面接合的第二半导体基板(52)。所述第一半导体基板包括以矩阵状排列的多个光电转换部(21)和用于将所述多个光电转换部彼此元件分离的元件分离部(157)。所述多个光电转换部具有第一光电转换部(21)。所述元件分离部具有第一元件分离区域(157A)和第二元件分离区域(157B)。所述第一光电转换部布置在所述第一元件分离区域和所述第二元件分离区域之间。所述第一半导体基板还包括排列于与第一面相对的一侧的第二面上并且排列于所述第一元件分离区域和所述第二元件分离区域之间的多个凹凸部(181)。所述第二半导体基板包括连接到所述多个光电转换部各者的读出电路(22)。

著录项

公开/公告号CN113287204A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-20

原文格式PDF
申请/专利权人索尼半导体解决方案公司;
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申请/专利号CN202080008797.3
发明设计人八木慎一郎;若野寿史;
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申请日2020-02-06
分类号H01L31/107(20060101);H01L21/3205(20060101);H01L21/768(20060101);H01L23/522(20060101);H01L27/146(20060101);G01S7/481(20060101);G01S17/894(20200101);
代理机构11290 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司;
代理人陈桂香;曹正建
地址日本神奈川县
入库时间 2023-06-19 12:16:29

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-01-25

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/107 专利申请号:2020800087973 申请日:20200206

实质审查的生效

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