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一种基于碳点和AgInZnS纳米颗粒的高显色指数WLED制备方法及其产品

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摘要

本发明涉及一种基于碳点和AgInZnS纳米颗粒的高显色指数WLED制备方法及其产品，属于半导体发光材料技术领域。本发明提供了一种基于碳点和AgInZnS纳米颗粒的高显色指数WLED的制备方法，主要将蓝色发光碳点、绿色发光碳点和红色发光AgInZnS纳米颗粒涂覆到在UV‑LED芯片上制备高显色指数WLED，该方法所选用的荧光材料无毒性，制备过程中不使用毒性有机溶剂，对人体及环境均无危害；同时在制备过程中不需惰性气体保护，操作简单，制备成本低廉，适合工业化生产。通过本发明的制备方法制备得到的基于碳点和AgInZnS纳米颗粒的高显色指数WLED具有色温可调、显色指数高且显色稳定性好的特点。

著录项

  • 公开/公告号CN113380939A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 重庆大学;

    申请/专利号CN202110642004.X

  • 发明设计人 邱景;黄焱燚;唐孝生;林豪;

    申请日2021-06-09

  • 分类号H01L33/50(20100101);

  • 代理机构11275 北京同恒源知识产权代理有限公司;

  • 代理人赵荣之

  • 地址 400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号

  • 入库时间 2023-06-19 12:32:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-10-27

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L33/50 专利申请号:202110642004X 申请公布日:20210910

    发明专利申请公布后的驳回

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