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一种基于石墨烯的可重复使用ZnO单晶衬底及制备ZnO薄膜的方法

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本发明公开了一种基于石墨烯的可重复使用ZnO单晶衬底及制备ZnO薄膜的方法，具体方案为：首先通过湿法转移将至少两层石墨烯转移到ZnO单晶衬底上；然后在ZnO/双层石墨烯衬底上生长ZnO薄膜；最后将ZnO薄膜从ZnO单晶衬底上剥离下来，由于石墨烯与ZnO薄膜之间通过比较弱的范德华力结合在一起，因此可以轻易地将ZnO薄膜从ZnO/石墨烯衬底上剥离，从而实现ZnO单晶衬底的重复利用。本发明通过将至少双层石墨烯转移到ZnO单晶衬底上，实现了ZnO单晶衬底的重复利用，降低了ZnO单晶衬底的使用成本，同时剥离下来的ZnO薄膜也可用于柔性器件的制备。

著录项

公开/公告号CN113394306A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-14

原文格式PDF
申请/专利权人浙江大学;
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申请/专利号CN202110539931.9
发明设计人叶志镇;王朋;潘新花;王宁;
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申请日2021-05-18
分类号H01L31/0296(20060101);H01L31/18(20060101);H01L21/02(20060101);C30B25/20(20060101);C30B25/18(20060101);C30B29/16(20060101);
代理机构33200 杭州求是专利事务所有限公司;
代理人万尾甜;韩介梅
地址 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
入库时间 2023-06-19 12:33:50

法律信息

法律状态公告日

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法律状态
2022-09-27

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发明专利权授予

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