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TOF-SIMS质谱深度分析半导体小芯片多层膜端面样品的制备方法

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摘要

本发明涉及材料样品检测技术领域，尤其涉及TOF‑SIMS质谱深度分析半导体小芯片多层膜端面样品的制备方法，包括以下步骤：以所述待测样品的待测面朝上的方式将所述待测样品夹入软质金属片中固定，所述待测样品的待测面与所述软质金属片的顶端齐平；夹入软质金属片中的待测样品放入基线金属块之间，所述基线金属块处于上下面平行状态，所述软质金属片的顶端与所述基线金属块的顶端齐平，然后进行TOF‑SIMS检测。本发明提供的TOF‑SIMS质谱深度分析半导体小芯片多层膜端面样品的制备方法，解决了小尺寸样品在TOF‑SIMS检测难以成功的问题，有效提高了制样的准确度和精度，并且制样过程时间缩短，制样成功率高。

著录项

  • 公开/公告号CN113390948A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 胜科纳米(苏州)有限公司;

    申请/专利号CN202110662425.9

  • 发明设计人 朱雷;石凯琳;李珮琳;华佑南;李晓旻;

    申请日2021-06-15

  • 分类号G01N27/62(20210101);G01N1/28(20060101);G01N1/36(20060101);

  • 代理机构11605 北京崇智知识产权代理有限公司;

  • 代理人赵丽娜

  • 地址 215123 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区9栋507室

  • 入库时间 2023-06-19 12:35:33

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-10-11

    著录事项变更 IPC(主分类):G01N27/62 专利申请号:2021106624259 变更事项:申请人 变更前:胜科纳米(苏州)有限公司 变更后:胜科纳米(苏州)股份有限公司 变更事项:地址 变更前:215123 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区9栋507室 变更后:215124 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区09栋507室

    著录事项变更

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