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退化模拟模型建立方法

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本发明公开了一种退化模拟模型建立方法，包括以下步骤：提供具源极与漏极的平面p型MOSFET。测量p型MOSFET的第一可靠度退化数据。针对p型MOSFET选择具有热载子感应穿通建模参数的模型，这些建模参数包括用于修正源极与漏极间模拟电流的热载子注入参数。以退化参数乘以控制条件参数来构建建模参数。以选定的模型来执行p型MOSFET的模拟，以获得第二可靠度退化数据。若第一与第二可靠度退化数据不匹配，更新退化参数并重新执行p型MOSFET的模拟。若第一与第二可靠度退化数据匹配，收集退化参数以建立用于p型MOSFET的退化模拟模型。如此，可以提供更为精确的模拟结果。

著录项

公开/公告号CN113408231A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-17

原文格式PDF
申请/专利权人南亚科技股份有限公司;
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申请/专利号CN202010465154.3
发明设计人黄瑞成;
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申请日2020-05-28
分类号G06F30/367(20200101);
代理机构11270 北京派特恩知识产权代理有限公司;
代理人浦彩华;姚开丽
地址中国台湾新北市泰山区南林路98号
入库时间 2023-06-19 12:37:08

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