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耐候性良好的硫化物荧光体及制备耐候性良好的荧光体的化学沉积法

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摘要

本发明提供一种耐候性良好的硫化物荧光体：包括基底和沉积在基底的表面的分子沉积膜，基底为碱土硫化物发光材料，分子沉积膜中包括通式为AxBy的化合物，其中B选自O元素、N元素中的至少一种。基于分子沉积膜具有规律排布的薄膜特性，本发明通过在碱土硫化物发光材料的表面沉积分子沉积膜，能够在碱土硫化物发光材料的表面形成致密的保护膜，由此能够对碱土硫化物发光材料起到有力而长效的保护，使碱土硫化物发光材料长期维持其应有的发光性能，延长应用碱土硫化物发光材料的产品的使用寿命。

著录项

  • 公开/公告号CN113403064A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 佛山安亿纳米材料有限公司;

    申请/专利号CN202110713398.3

  • 发明设计人 陈焰;胡广齐;叶炜浩;梁敏婷;

    申请日2021-06-25

  • 分类号C09K11/59(20060101);C09K11/64(20060101);C09K11/02(20060101);C09K11/56(20060101);C23C16/30(20060101);C23C16/34(20060101);C23C16/40(20060101);

  • 代理机构44714 广州市诺丰知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人黄国亮;任毅

  • 地址 528143 广东省佛山市三水工业园区大塘园清盈路10号

  • 入库时间 2023-06-19 12:37:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-02-28

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C09K11/59 专利申请号:2021107133983 申请公布日:20210917

    发明专利申请公布后的驳回

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