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金刚石基光电催化电极及其制备方法和光电催化装置

摘要

本发明涉及光电催化技术领域,具体提供一种金刚石基光电催化电极及其制备方法和光电催化装置。所述制备方法包括以下步骤:在基底上沉积形成硼掺杂的金刚石膜层;在硼掺杂的金刚石膜层表面沉积形成n型半导体膜层;其中,所述n型半导体膜层包括氮掺杂的二氧化钛层、α‑氧化铁层、钛掺杂的α‑氧化铁层中的至少一层;所述n型半导体膜层的禁带宽度不大于2.7eV。本发明提供的金刚石基光电催化电极及其制备方法具有工艺简单,且获得的电极结构稳定性好等特点;更重要地是,得到的金刚石基光电催化电极对太阳光波段具有高响应特性,可充分利用太阳光直接进行光电催化。

著录项

  • 公开/公告号CN113463127A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳技术大学;

    申请/专利号CN202110686949.1

  • 申请日2021-06-21

  • 分类号C25B11/053(20210101);C25B9/50(20210101);C23C14/08(20060101);C23C14/35(20060101);C23C16/27(20060101);C23C16/455(20060101);

  • 代理机构44507 深圳市力道知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人张传义

  • 地址 518057 广东省深圳市坪山区石井街道兰田路3002号

  • 入库时间 2023-06-19 12:48:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-06-10

    授权

    发明专利权授予

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