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包括在两种或更多种不同半导体材料内扩散的氢的集成组合件及形成集成组合件的方法

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摘要

一些实施例包含一种集成组合件，其具有在第二半导体材料的两个区之间的第一半导体材料。所述第二半导体材料是不同于所述第一半导体材料的成分。氢在所述第一及第二半导体材料内扩散。所述第二半导体材料的导电性响应于扩散在其中的所述氢而增加，以借此创建具有所述第二半导体材料作为源极/漏极区并且具有所述第一半导体材料作为在所述源极/漏极区之间的沟道区的结构。晶体管栅极邻近所述沟道区并且经配置以在所述沟道区内感应电场。一些实施例包含形成集成组合件的方法。

著录项

公开/公告号CN113544814A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-22

原文格式PDF
申请/专利权人美光科技公司;
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申请/专利号CN202080019268.3
发明设计人 K·M·考尔道;李宜芳;刘海涛;D·V·N·拉马斯瓦米;R·甘地;K·萨尔帕特瓦里;S·E·西利士;S·查杰德;
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申请日2020-02-11
分类号H01L21/02(20060101);H01L29/08(20060101);H01L29/26(20060101);H01L29/78(20060101);H01L29/66(20060101);H01L27/108(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人王龙
地址美国爱达荷州
入库时间 2023-06-19 12:56:12

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