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一种基于B掺杂扩散进行寿命控制的辐射加固SiC器件

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本发明公开了一种基于B掺杂扩散进行寿命控制的辐射加固SiC器件。该器件包括N掺杂的SiC衬底，在衬底上生长的N掺杂的外延层，在外延层内掺杂B元素，B的掺杂浓度低于外延层内N掺杂的浓度，而二者的差值及其产生的附加缺陷数量，被作为外延层的补偿掺杂共同设计。本发明的SiC器件能增加辐射产生的电子‑空穴在外延层复合的概率，从而减小电流向表面及衬底/外延界面的汇聚，限制器件的局部功率，防止过热的产生，以起到器件加固的效果。

著录项

公开/公告号CN113540207A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-22

原文格式PDF
申请/专利权人复旦大学;
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申请/专利号CN202110626672.3
发明设计人孙博韬;
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申请日2021-06-04
分类号H01L29/06(20060101);H01L29/78(20060101);
代理机构31200 上海正旦专利代理有限公司;
代理人王洁平
地址 200433 上海市杨浦区邯郸路220号
入库时间 2023-06-19 12:56:12

法律信息

法律状态公告日

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法律状态
2022-07-22

授权

发明专利权授予

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