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一种(Mo0.2W0.2V0.2Cr0.2Ni0.2)B高熵陶瓷粉体及其制备方法

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本发明提供了一种(Mo0.2W0.2V0.2Cr0.2Ni0.2)B高熵陶瓷粉体及其制备方法，(Mo0.2W0.2V0.2Cr0.2Ni0.2)B高熵陶瓷粉末为单相正交结构，本发明首先通过球磨将单质金属Mo，W，V，Cr，Ni和B粉，NaCl粉体以及乙醇进行湿磨混合，然后将混合均匀的原料在旋转蒸发器中干燥，最后进行热处理实现高熵粉体的制备，通过严格控制工艺参数，获得单相结构的高熵粉体，首次利用熔盐法成功合成出了一硼化物的高熵粉体，通过多项技术表征，合成的(Mo0.2W0.2V0.2Cr0.2Ni0.2)B高熵陶瓷粉末具有较好的形貌和分散性，丰富了陶瓷材料体系。

著录项

公开/公告号CN113548898A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-26

原文格式PDF
申请/专利权人郑州大学;
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申请/专利号CN202110953152.3
发明设计人王海龙;赵鹏博;朱锦鹏;李明亮;邵刚;张锐;
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申请日2021-08-19
分类号C04B35/58(20060101);C04B35/626(20060101);
代理机构41130 郑州浩德知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人柏琼琼
地址 450000 河南省郑州市科学大道100号
入库时间 2023-06-19 13:00:48

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2023-03-21

授权

发明专利权授予

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