首页> 中国专利> 中介层、包含中介层的微电子装置组件和制造方法

中介层、包含中介层的微电子装置组件和制造方法

页面导航

摘要
著录项
相似文献

摘要

本申请涉及一种中介层、包含所述中介层的电子装置组件和制造方法。一种中介层包括半导体材料，并且包含在所述中介层上用于主机装置的位置下方的高速缓冲存储器。存储器接口电路系统还可以位于所述中介层上用于存储器装置的一或多个位置下方。还公开了并入有此类中介层且包括主机装置和多个存储器装置的微电子装置组件，以及制造此类微电子装置组件的方法。

著录项

公开/公告号CN113574662A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-29

原文格式PDF
申请/专利权人美光科技公司;
展开▼

申请/专利号CN202080022022.1
发明设计人 C·H·育;O·R·费伊;
展开▼

申请日2020-03-11
分类号H01L23/52(20060101);H01L23/522(20060101);H01L23/535(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人彭晓文
地址美国爱达荷州
入库时间 2023-06-19 13:02:24

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 中介层、包含中介层的微电子装置组件和制造方法 [P] . 中国专利： CN113574662A . 2021-10-29
2. 中介层，以及包含中介层的半导体封装体及其制作方法 [P] . 中国专利： CN108269784A . 2018-07-10
3. Microelectronic assemblies with integrated circuits and interposers with cavities, and methods of manufacture [P] . 美国专利： US9536862B2 . 2017-01-03

机译：具有集成电路的微电子组件和具有空腔的中介层及其制造方法
4. Microelectronic assemblies with integrated circuits and interposers with cavities, and methods of manufacture [P] . 美国专利： US9252127B1 . 2016-02-02

机译：具有集成电路的微电子组件和具有空腔的中介层及其制造方法
5. MICROELECTRONIC ASSEMBLIES WITH INTEGRATED CIRCUITS AND INTERPOSERS WITH CAVITIES, AND METHODS OF MANUFACTURE [P] . 美国专利： US2016013151A1 . 2016-01-14

机译：具有腔的集成电路和中介层的微电子组件及其制造方法