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用于解决碳化硅晶圆化学机械抛光后产生局部高点的方法、陶瓷盘、化学机械抛光装置

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摘要

本发明公开一种用于解决碳化硅晶圆化学机械抛光后产生局部高点的方法、一种陶瓷盘及应用其的化学机械抛光装置，涉及碳化硅晶圆加工技术领域，通过改变陶瓷盘贴片区域的形状来达到改变晶圆局部受力分布，从而研磨去除掉晶圆局部高点。本发明所述的用于解决碳化硅晶圆化学机械抛光后产生局部高点的方法，通过车床将陶瓷盘的贴片区域车成与晶圆形状一致的凹形曲面，且从圆形的贴片区域的边缘向中心逐渐下凹1~10um，以使设备的压力部件施加压力到陶瓷盘时，贴片区域的边缘区域压力比中心区域压力高。

著录项

公开/公告号CN113681456A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-23

原文格式PDF
申请/专利权人河北同光晶体有限公司;河北同光科技发展有限公司;
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申请/专利号CN202110988094.8
发明设计人刘少华;李坤宁;杨兴娇;李雪涛;赵焕君;崔景光;
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申请日2021-08-26
分类号B24B37/10(20120101);B24B37/30(20120101);H01L21/02(20060101);H01L21/67(20060101);
代理机构11254 北京连城创新知识产权代理有限公司;
代理人许莉
地址 071051 河北省保定市北三环6001号
入库时间 2023-06-19 13:23:06

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