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一种低介电损耗碳化硅纤维增强陶瓷复合材料的制备方法

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摘要

本发明提供了一种低介电损耗碳化硅纤维增强陶瓷复合材料的制备方法，包括以下步骤：SiC@SiO2核壳结构的制备、表面沉积氧化镧薄膜的SiC@SiO2核壳结构的制备、低介电损耗碳化硅纤维增强陶瓷复合材料的制备。本发明还提供了上述方法制得的低介电损耗碳化硅纤维增强陶瓷复合材料。本发明提供的低介电损耗碳化硅纤维增强陶瓷复合材料，通过在碳化硅陶瓷中分散碳化硅纤维大大提高了材料的韧性，利用碳化硅纤维制得SiC@SiO2核壳结构，降低了碳化硅纤维的介电参数，同时在碳化硅陶瓷中分散氧化硅等材料，进一步降低了碳化硅陶瓷的介电参数，提高了绝缘性；同时SiC@SiO2核壳结构表面沉积氧化镧薄膜，氧化镧薄膜能有效提升纤维的抗氧化性能，减少由纤维氧化带来的强度损伤化镧，还可以降低配合料熔制过程中氧化硼化合物的挥发量。

著录项

  • 公开/公告号CN113896556A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 江西信达航科新材料科技有限公司;

    申请/专利号CN202111281748.X

  • 发明设计人 吴宝林;侯振华;吴迪;

    申请日2021-11-01

  • 分类号C04B35/80(20060101);C04B35/565(20060101);C04B35/622(20060101);

  • 代理机构32341 南京中律知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人沈振涛

  • 地址 330000 江西省南昌市安义县红山西大道

  • 入库时间 2023-06-19 13:35:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-03-17

    授权

    发明专利权授予

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