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电荷灵敏前置放大器结构及设计方法

摘要

本发明提供了电荷灵敏前置放大器结构及设计方法,属于半导体辐射探测技术领域。包括自适应环境温度变化的偏置电路,控制反馈MOS管的偏置电压VB_CSA经过偏置电路模块输出VB_CSATEMP到MOS管的栅极来控制电荷灵敏前置放大器的放电时间;当环境温度变化时,自适应环境温度变化的偏置电路的输出VB_CSATEMP随温度变化,使电荷灵敏前置放大器的放电时间在低温和高温时都保持在系统要求的时间范围内。解决了使用工作在深线性区MOS管实现反馈电阻的温度稳定性问题,使前置放大器在低温时不会出现脉冲堆叠现象,在高温时不会出现弹道亏损现象,保证了前置放大器在较宽的温度范围内保持基本恒定的放电时间。

著录项

  • 公开/公告号CN113779916A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西北工业大学;

    申请/专利号CN202111087596.X

  • 申请日2021-09-16

  • 分类号G06F30/367(20200101);H03F1/30(20060101);H03F3/70(20060101);

  • 代理机构61223 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人韩晓娟

  • 地址 710129 陕西省西安市东祥路1号

  • 入库时间 2023-06-19 13:40:20

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