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MEMS谐振器锚点阻尼的数值表征、抑制的结构及方法

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本发明涉及一种MEMS谐振器锚点阻尼的数值表征、抑制的结构及方法，其包括：抑制区域，位于每个谐振质量块的中心位置处，且多个所述抑制区域呈对称分布；抑制结构，用于改变谐振参数抑制锚点耗散，设置在所述抑制区域内；理论不动点区域，以锚点为中心呈对称分布在连接所述谐振质量块用的支撑架上；检测结构，用于对锚点耗散进行数值表征，实现对非对称振动的检测，设置在所述理论不动点区域内。本发明通过设计不对称振动检测结构和不对称振动抑制结构，实现对于锚点耗散的实时测量表征与闭环抑制。本发明具有易于加工，不增加工艺复杂度，检测精度高，闭环抑制效果好，有效降低锚点阻尼耗散的特点。

著录项

公开/公告号CN113794459A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-14

原文格式PDF
申请/专利权人清华大学;
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申请/专利号CN202111096858.9
发明设计人周斌;邢博文;马健钧;魏琦;张嵘;
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申请日2021-09-18
分类号H03H9/02(20060101);
代理机构11245 北京纪凯知识产权代理有限公司;
代理人孙楠
地址 100084 北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室
入库时间 2023-06-19 13:41:59

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