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用于抑制CMOS图像传感器中的浮动扩散结泄漏的隔离结构

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本公开涉及一种用于抑制CMOS图像传感器中的浮动扩散结泄漏的隔离结构。所揭示的标的物的实例提出围绕像素单元的像素晶体管区的周边安置沟槽隔离结构。所述沟槽隔离结构包含前侧(例如，浅和深)沟槽隔离结构和背侧深沟槽隔离结构，其抵邻或接触前侧深沟槽隔离结构的底部，以用于隔离所述像素单元的像素晶体管区的像素晶体管沟道。所述沟道隔离结构在所述像素晶体管区中的形成和布置形成浮动掺杂阱区，含有例如所述像素晶体管的浮动扩散部FD和源极/漏极(例如，(N)掺杂区)。此浮动P阱区目的在于减少与所述像素单元的所述浮动扩散区相关联的结泄漏。

著录项

公开/公告号CN113921548A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-11

原文格式PDF
申请/专利权人豪威科技股份有限公司;
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申请/专利号CN202110759772.3
发明设计人文成烈;刘远良;
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申请日2021-07-06
分类号H01L27/146(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人刘媛媛
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2023-06-19 13:51:08

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2023-03-31

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/146 专利申请号:2021107597723 申请日:20210706

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