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一种形成有机纳米线阵列的方法及有机纳米线阵列

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本发明属于纳米材料技术领域，公开了一种形成有机纳米线阵列的方法及有机纳米线阵列。一种形成有机纳米线阵列的方法，包括以下步骤：S1，提供设有沟道阵列的衬底，对所述衬底进行表面疏水处理；S2，将镂空掩模版置于步骤S1所述的衬底上，所述镂空掩模版具有若干镂空的通孔，将有机纳米线原料透过所述通孔沉积到所述沟道阵列内，形成有机纳米线阵列。通过上述方法可以形成定向定位生长的有机纳米线阵列，降低了后续制作纳米尺寸器件的难度，操作简易，成本低廉，易于规模化生长，适用于工业化生产。

著录项

公开/公告号CN113913744A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-11

原文格式PDF
申请/专利权人华南师范大学;
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申请/专利号CN202111131954.2
发明设计人许金友;赵子豪;王兴宇;廖记辉;张玲玉;宋健;宋佳迅;周国富;
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申请日2021-09-26
分类号C23C14/04(20060101);C23C14/12(20060101);C23C14/22(20060101);C23C14/02(20060101);H01L51/00(20060101);H01L51/42(20060101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);
代理机构44205 广州嘉权专利商标事务所有限公司;
代理人张建珍
地址 510006 广东省广州市番禺区外环西路378号华南师范大学华南先进光电子研究院
入库时间 2023-06-19 13:52:41

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