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一种10-50nm高纯度纳米氧化铈的制备方法

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摘要

本发明属于半导体材料制备技术领域，具体涉及一种10‑50nm高纯度纳米氧化铈的制备方法。一种10‑50nm高纯度纳米氧化铈的制备方法，包括以下步骤：(1)将高纯度硝酸铈、高纯度甘氨酸和高纯度PEG原料用半导体级超纯水进行溶解，将所得溶液采用密闭式高纯保护气体喷雾干燥器进行干燥，生成微米级的干粉；(2)采用高纯氧气将生成的粉末输运到高温反应炉里，粉末在高温炉里进行爆炸式反应，即可得到粒径为10‑50nm、纯度为99.9999wt％以上的纳米氧化铈。本发明10‑50nm高纯度纳米氧化铈的制备方法简单且稳定，工序少，生产效率高，产生易于吸收处理的尾气，生产成本低，生产的纳米氧化铈为类球形，粒径在10‑50nm可控、粒径分布窄、易于分散；可应用于半导体领域的化学机械抛光。

著录项

  • 公开/公告号CN113929127A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 广西立之亿新材料有限公司;

    申请/专利号CN202010675867.2

  • 发明设计人 不公告发明人;

    申请日2020-07-14

  • 分类号C01F17/235(20200101);C01F17/10(20200101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构11570 北京众达德权知识产权代理有限公司;

  • 代理人张晓冬

  • 地址 530007 广西壮族自治区南宁市高新区滨河路28号中国-东盟企业总部基地三期综合楼南宁广告产业园102室商务秘书企业(广西客服云商务秘书有限公司)托管

  • 入库时间 2023-06-19 13:55:46

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