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公开/公告号CN113946283A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-18
原文格式PDF
申请/专利权人 美光科技公司;
申请/专利号CN202110806082.9
发明设计人 A·巴德瓦杰;
申请日2021-07-16
分类号G06F3/06(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人王龙
地址 美国爱达荷州
入库时间 2023-06-19 13:57:16
机译: 部分区域内存单元处理存储器设备的分区命名空间
机译: 半导体存储器和用于在存储器存储器的写操作中写入存储在存储器单元阵列的部分区域中的数据的方法
机译: 使用人机界面中的分区存储器将图形数据从计算机无线传输到显示器,并将当前图形数据与计算机存储器中的最后副本进行分区比较
机译:基于分区的分区机制,用于减少相变存储器中的能量
机译:浮栅非易失性存储器中栅极电容耦合系数的提取:虚拟单元提取方法中浮栅存储器与参考晶体管失配影响的统计研究
机译:在SOI(FBC)上使用单晶体管增益单元的存储器具有适合嵌入式DRAM的性能-单元特性和存储器性能的测量结果
机译:通过动态RESET电压调节和分区RESET缓解电阻式存储器中的压降
机译:基于多级单元相变存储器的主存储器的架构技术。
机译:双稳态开关的分区可使存储器跨越反馈驱动的过渡
机译:在相位变更存储器中启用和利用分区级并行性(PALP)
机译:在二级存储器中维护范围树。第1部分:分区