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一种基于多疲劳模式耦合的功率半导体器件寿命预测方法

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本发明涉及一种基于多疲劳模式耦合的功率半导体器件寿命预测方法，针对功率半导体器件不同疲劳模式建立寿命预测模型；获得功率半导体器件不同疲劳失效模式下的疲劳寿命模型参数数据并带入寿命预测模型中；建立功率半导体器件电热耦合模型获取电热循环工况参数；将获取的电热循环工况参数，代入中寿命预测模型中，计算不同疲劳失效模式对应的疲劳寿命；根据疲劳寿命对电热耦合模型结壳热阻和导通电阻进行退化修正。不仅可以判断导致器件最终失效的疲劳模式，输出对应的疲劳寿命，而且还可以对器件服役过程中的热阻/导通电阻等参数的动态退化过程进行仿真提取，为功率半导体器件长期运行可靠性评估提供有效指导。

著录项

公开/公告号CN113987783A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-28

原文格式PDF
申请/专利权人中国人民解放军海军工程大学;
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申请/专利号CN202111246775.3
发明设计人黄永乐;罗毅飞;肖飞;刘宾礼;唐欣;熊又星;杨之慧;胡泊;
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申请日2021-10-26
分类号G06F30/20(20200101);G06F119/04(20200101);
代理机构42104 武汉开元知识产权代理有限公司;
代理人马辉;张继巍
地址 430000 湖北省武汉市解放大道717号
入库时间 2023-06-19 14:01:55

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