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基于双Z型异质结构建的黄曲霉毒素B1光电化学传感器的制备方法

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本发明涉及基于双Z型异质结构建的黄曲霉毒素B1光电化学传感器的制备方法。本发明以CoTiO3/g‑C3N4/Bi2O3作为基底材料来获取光电流，g‑C3N4与CoTiO3和Bi2O3分别可以形成Z型异质结构，这种异质结构的形成，能够有效提高光生电子的传递速度，减少电子和空穴的复合效率，极大的提高了可见光利用率。以MnO2作为标记物标记黄曲霉毒素B1第二抗体，MnO2可以催化测试底液中的抗坏血酸，实现光电流信号的有效猝灭，提高检测灵敏度，实现了对黄曲霉毒素B1的灵敏检测。其检测限为0.025 pg/mL。

著录项

公开/公告号CN113984854A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-28

原文格式PDF
申请/专利权人济南大学;
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申请/专利号CN202111210426.6
发明设计人魏琴;徐芮;任祥;孙旭;吴丹;
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申请日2021-10-18
分类号G01N27/26(20060101);G01N27/30(20060101);G01N27/327(20060101);
代理机构
代理人
地址 250022 山东省济南市市中区南辛庄西路336号
入库时间 2023-06-19 14:01:55

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-10-21

发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):G01N27/26 专利申请号:2021112104266 申请公布日:20220128

发明专利申请公布后的撤回

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