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一种半导体缺陷对荧光寿命影响的检测装置及检测方法

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摘要

本发明涉及一种半导体缺陷对荧光寿命影响的检测装置及检测方法，检测装置的不同之处在于：其包括光发射系统、光分离收集系统和检测系统；光发射系统包括能聚焦至半导体样品表面同一位置的脉冲激光光源和连续激光光源，连续激光光源能聚焦至半导体样品表面以使半导体样品的缺陷电子态饱和，连续激光光源的光子能量可调且其光子能量与半导体样品内的任一深能级缺陷能级与价带的能量间隔相同，脉冲激光光源能聚焦至半导体样品表面以激发半导体样品的光致发光；光分离收集系统用于分离并收集光致发光信号；检测系统用于检测光分离收集系统收集的光致发光信号的荧光寿命。本发明能有效检测半导体缺陷对荧光寿命影响，使用方便。

著录项

  • 公开/公告号CN113984727A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 江苏华兴激光科技有限公司;

    申请/专利号CN202111251520.6

  • 发明设计人 王岩;徐鹏飞;罗帅;季海铭;

    申请日2021-10-25

  • 分类号G01N21/64(20060101);G01N21/01(20060101);

  • 代理机构42228 武汉江楚智汇知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人矫娅琳

  • 地址 221327 江苏省徐州市邳州经济开发区辽河西路北侧、华山北路西侧

  • 入库时间 2023-06-19 14:01:55

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