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一种基于能量损耗机理分析的半球谐振子结构参数优化方法

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一种基于能量损耗机理分析的半球谐振子结构参数优化方法，涉及半球谐振子结构参数优化技术领域，用以解决现有技术不能对半球谐振子结构参数进行优化以提高品质因数的问题。本发明的技术要点包括：从能量角度定义半球谐振子的品质因数，影响品质因数的阻尼机理包括热弹性阻尼和支撑损耗；建立理想半球谐振子的总品质因数与热弹性阻尼和支撑损耗之间的关系；改变半球谐振子每个结构参数的尺寸，分别计算其对应的总品质因数，选择每个结构参数中总品质因数最高的尺寸为最优结构参数尺寸。本发明提高了半球谐振子结构优化的效率，缩短了半球谐振子的设计周期。

著录项

公开/公告号CN114021276A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-08

原文格式PDF
申请/专利权人哈尔滨工业大学;
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申请/专利号CN202111276018.0
发明设计人刘赫男;秦彪;陈明君;吴春亚;程健;
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申请日2021-10-29
分类号G06F30/17(20200101);G06F30/23(20200101);G06F111/10(20200101);G06F119/14(20200101);G06F119/08(20200101);G06F119/06(20200101);G06F119/02(20200101);
代理机构23217 黑龙江立超同创知识产权代理有限责任公司;
代理人杨立超
地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
入库时间 2023-06-19 14:08:07

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-02-25

实质审查的生效 IPC(主分类):G06F30/17 专利申请号:2021112760180 申请日:20211029

实质审查的生效

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