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一种P型半导体层生长方法、外延层、LED芯片及显示屏

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本发明涉及一种P型半导体层生长方法、外延层、LED芯片及显示屏。外延层的P型半导体层中包括P型GaN层与第一P型InGaN层，在P型半导体层中引入In，可以降低P型半导体层与P电极之间的势垒，提升Mg掺杂浓度与活化效率，进而增加空穴浓度。同时，因为P型GaN层与第一P型InGaN层之间形成了异质结，而异质结的存在可以提升载流子的浓度，因此，上述外延层通过异质结与高掺杂可以增强P型半导体层的欧姆接触质量。基于该外延层制备的LED芯片与显示屏可靠性高。

著录项

公开/公告号CN114038970A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-11

原文格式PDF
申请/专利权人重庆康佳光电技术研究院有限公司;
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申请/专利号CN202110298176.X
发明设计人张海林;黄国栋;黄嘉宏;杨顺贵;
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申请日2021-03-19
分类号H01L33/32(20100101);H01L33/38(20100101);H01L33/04(20100101);H01L33/00(20100101);H01L25/16(20060101);
代理机构44281 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司;
代理人李发兵
地址 402760 重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号(1号厂房)
入库时间 2023-06-19 14:09:38

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-03-01

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/32 专利申请号:202110298176X 申请日:20210319

实质审查的生效

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