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一种基于插值基函数的高均匀磁场线圈设计方法

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本发明公开了一种基于插值基函数的高均匀磁场线圈设计方法。该方法将布线区域分成两个不同的区域：主线圈区域与屏蔽线圈区域，将每个区域沿轴向分成若干矩形网格，并在每个网格内将电流密度用小波基函数插值表示，然后通过建立合适的线性规划模型并求解得到布线区域内的电流密度，进而确定线圈的参数。该方法采用小波基函数表示布线区域内的电流分布，与传统的数学模型相比，得到的布线区域内的电流簇更集中，设计的线圈更易于加工。

著录项

公开/公告号CN114065563A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-18

原文格式PDF
申请/专利权人河海大学;
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申请/专利号CN202010770713.1
发明设计人平学伟;王明妤;殷兴辉;沈洁;李昌利;
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申请日2020-08-04
分类号G06F30/23(20200101);G06F111/04(20200101);
代理机构32204 南京苏高专利商标事务所(普通合伙);
代理人孟红梅
地址 210024 江苏省南京市鼓楼区西康路1号
入库时间 2023-06-19 14:14:25

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-03-08

实质审查的生效 IPC(主分类):G06F30/23 专利申请号:2020107707131 申请日:20200804

实质审查的生效

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