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一种CdS薄膜的制备方法及其Sb2(S,Se)3太阳能电池和电池制备方法

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本发明涉及光伏电池领域，特指一种CdS薄膜的制备方法及其Sb2(S,Se)3太阳能电池和电池制备方法。CdS薄膜制备方法包括：先热蒸发法制得预制薄层CdS基片(CdS(Eva))，再在此基础上通过水浴法制得CdS薄膜(CdS(CBD))。先热蒸发法能够将高纯度的CdS粉料均匀地附着在导电基底之上，为后续的化学水浴法制备CdS提供微小晶核的附着点并促进稳定结晶。基于该薄膜获得的Sb2(S,Se)3太阳能电池，结构为Glass/FTO/CdS(Eva)/CdS(CBD)/Sb2(S,Se)3/Spiro/Au，PN结电子‑空穴对的传输能力更强，光电转换性能更优。

著录项

公开/公告号CN114094020A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-25

原文格式PDF
申请/专利权人常州大学;
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申请/专利号CN202111360842.4
发明设计人张帅;刘静静;郭华飞;丁建宁;袁宁一;
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申请日2021-11-17
分类号H01L51/48(20060101);H01L51/42(20060101);
代理机构32258 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙);
代理人李楠
地址 213164 江苏省常州市武进区滆湖路21号
入库时间 2023-06-19 14:15:58

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-03-15

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/48 专利申请号:2021113608424 申请日:20211117

实质审查的生效

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