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公开/公告号CN114127850A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-03-01
原文格式PDF
申请/专利权人 美光科技公司;
申请/专利号CN202080051193.7
发明设计人 M·博尼亚蒂;A·M·孔蒂;M·罗布斯泰利;I·托尔托雷利;M·阿莱格拉;
申请日2020-07-09
分类号G11C8/08(20060101);G11C7/18(20060101);G11C8/14(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人王龙
地址 美国爱达荷州
入库时间 2023-06-19 14:19:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-01
公开
国际专利申请公布
机译: 能够通过正常读取操作来读取签名熔丝的数据的半导体存储器装置以及用于通过半导体存储器中的正常读取操作来读取签名熔丝的数据的方法
机译: 能够通过正常读取操作读取签名熔丝的数据的半导体存储器件以及通过正常读取操作读取半导体存储器件中的签名熔丝的数据的方法
机译: 能够通过正常读取操作读取签名熔丝的数据的半导体存储装置以及通过正常读取操作读取半导体存储器件中的签名熔丝的数据的方法
机译:基于反熔丝的一次性可编程存储器,用于具有高速操作和低功耗的交叉开关存储器应用
机译:一种制造反熔丝WORM存储器的简单方法
机译:适用于嵌入式应用的4 kbit低成本反熔丝一次性可编程存储器宏
机译:5nm高k金属栅极鳍FET CMOS中的16KB反熔丝一次性可编程存储器,具有引导高压方案,读取端点检测和伪差分传感
机译:用于关联和数据存储的三维光聚合物光盘,以及体积全息存储器中的串扰。
机译:重访大容量存储器:视觉长期存储器中对象详细信息的存储容量限制
机译:光学存储器,用于读取和写入这种光学存储器的方法,以及用于读取和写入这种存储器的装置
机译:从存储在声学存储器中的数据中提取衍生物。