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一种双辐射场的热中子参考辐射装置

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摘要

本发明属于中子物理与中子应用技术领域，提供了一种双辐射场的热中子参考辐射装置。该双辐射场的热中子参考辐射装置包括：第一保护层、第二保护层、中子源板、第一慢化层、第一均整透镜、第一辐射场、第一反射层、第二慢化层、第二均整透镜、第二辐射场以及第二反射层。一方面，中子源板释放的快中子依次经过第一慢化层、第一均整透镜以及第一反射层，最终得到热中子通量均匀且热中子注量率高的第一辐射场；另一方面，中子源板释放的快中子依次经过第二慢化层、第二均整透镜以及第二反射层，最终得到热中子通量均匀且热中子占比高的第二辐射场。

著录项

  • 公开/公告号CN114114379A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国计量科学研究院;

    申请/专利号CN202111235042.X

  • 发明设计人 张健;任忠国;张辉;王平全;杨竣凯;

    申请日2021-10-22

  • 分类号G01T7/00(20060101);

  • 代理机构11616 北京喆翙知识产权代理有限公司;

  • 代理人李娜

  • 地址 100029 北京市朝阳区北三环东路18号

  • 入库时间 2023-06-19 14:20:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-01

    公开

    发明专利申请公布

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