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气雾化制粉用高硅铝合金熔体流动性、纯净度控制方法

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本发明公开了一种气雾化制粉用高硅铝合金熔体流动性、纯净度控制方法，包括：配料：选取高等级纯度的工业硅、纯铝、中间合金等作为原材料，按照成分要求配料；熔炼：按照一定顺序加入炉料，采用中频真空感应炉按照规定的熔化控制程序熔炼炉料；净化：添加精炼剂，去除夹渣，同时利用磁化作用，定向移动熔体，利于沉淀和扒渣；合金化：添加合金元素，改变熔体热力学状态；导流管配置：配以合理直径、长度、粗糙度等要求的带发热套的导流管，最终得到高纯净度、良好流动性的熔体。本发明实现了对高纯净度、良好流动性高硅铝合金熔体的控制，提高了气雾化制粉的成品率，大大降低了雾化室导流管的堵塞现象。

著录项

公开/公告号CN114101689A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-03-01

原文格式PDF
申请/专利权人河北新立中有色金属集团有限公司;
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申请/专利号CN202111349455.0
发明设计人宗福春;李海军;胡增武;李云飞;于洋;王辰浩;李作平;左李庆;葛素静;齐敬;
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申请日2021-11-15
分类号B22F9/08(20060101);C22C1/02(20060101);C22C1/06(20060101);C22C21/02(20060101);C22C28/00(20060101);
代理机构11562 北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人李瑞雨
地址 071000 河北省保定市清苑区发展西路338号
入库时间 2023-06-19 14:22:08

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2022-03-01

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