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横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路

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本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，该晶体管包括：衬底，形成有高压N型阱；紧邻设置的第一N型漂移区、P型体区和第二N型漂移区，形成于高压N型阱；第一张应变区，形成于第一N型漂移区；第二张应变区，形成于第二N型漂移区；第一漏极，形成于第一张应变区；第二漏极，形成于第二张应变区；第一源极和第二源极，形成于P型体区；衬底极，形成于第一源极与第二源极之间；第一栅极，形成于第一N型漂移区和P型体区的上表面；第二栅极，形成于P型体区和第二N型漂移区的上表面，第二栅极与第一栅极之间形成有间隔。通过本发明提供的晶体管能够提高沟道内载流子的迁移率，提升晶体管的驱动能力和速度。

著录项

公开/公告号CN114267724A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-04-01

原文格式PDF
申请/专利权人北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;
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申请/专利号CN202210192181.7
发明设计人余山;赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;刘倩倩;郁文;
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申请日2022-03-01
分类号H01L29/06(20060101);H01L29/78(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构11283 北京润平知识产权代理有限公司;
代理人李红
地址 102200 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层
入库时间 2023-06-19 14:43:46

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2022-04-01

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发明专利申请公布

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