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基于增强型MOSFET导通电阻的电流感测的动态偏置技术

摘要

本公开涉及基于增强型MOSFET导通电阻的电流感测的动态偏置技术。开关变换器电路,包括:电感电路元件;驱动器开关电路,被配置为向所述电感电路元件提供能量以产生所述开关变换器电路的输出电压,该输出电压具有交流(AC)信号分量和直流(DC)信号分量;电流感测电路,被配置为产生代表所述电感电路元件的电感器电流的电流感测信号,其中所述电流感测电路的输出耦合到偏置电路节点;和动态偏置电路,被配置为向所述偏置电路节点施加动态偏置电压,其中所述动态偏置电压包括跟踪所述输出电压的AC信号分量的AC分量。

著录项

  • 公开/公告号CN114301268A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-04-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 美国亚德诺半导体公司;

    申请/专利号CN202111170199.9

  • 发明设计人 严颖怡;

    申请日2021-10-08

  • 分类号H02M1/088(20060101);H02M1/10(20060101);H02M3/07(20060101);

  • 代理机构11038 中国贸促会专利商标事务所有限公司;

  • 代理人张小稳

  • 地址 美国马萨诸塞州

  • 入库时间 2023-06-19 14:48:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-08

    公开

    发明专利申请公布

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