日本三菱电子研发新结构碳化硅MOSFET 与传统碳化硅MOSFET相比导通电阻减少40、功耗减少20

首页> 中文期刊> 《半导体信息》 >日本三菱电子研发新结构碳化硅MOSFET 与传统碳化硅MOSFET相比导通电阻减少40、功耗减少20

日本三菱电子研发新结构碳化硅MOSFET 与传统碳化硅MOSFET相比导通电阻减少40、功耗减少20

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

日本三菱电子公司研发出碳化硅（SiC）MOSFET新结构,在因短路而出现过流时,不再需要高速保护电路来阻断电压,更好满足高能效、小尺寸等领域应用需求。需求背景半导体功率器件是功率电子设备的重要组成部分,广泛用于家用电器、工业机械和轨道交通等众多领域。功率电子设备中的短路能够在半导体功率器件中引起非常大的过流,进而带来损害或引发器件失效。

著录项

来源
《半导体信息》 |2017年第5期|P.6-7|共2页
作者

展开▼
作者单位

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
日本三菱电子公司 MOSFET 碳化硅半导体功率器件结构研发导通;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 基于模块导通电阻的碳化硅MOSFET键合线健康状态评估方法 [J] . 孙海峰 ,张红玉 ,蔡江 . 华北电力大学学报(自然科学版) . 2020,第002期
2. Littelfuse碳化硅MOSFET可在电力电子应用中实现高速切换 [J] . . 电子测试 . 2017,第10X期
3. 可在电力电子应用中实现超高速切换的碳化硅MOSFET [J] . Littelfuse . 今日电子 . 2017,第11期
4. IR推出采用PQFN封装的20V、25V及30V MOSFET,适用于ORing和电机驱动应用 IRFH6200TRPbF具有业界最低导通电阻 [J] . . 电源技术应用 . 2010,第4期
5. Vishay Siliconix推出最低导通电阻的新型20V P通道TrenchFET~第三代功率MOSFET [J] . 江兴 . 半导体信息 . 2009,第006期
6. 改进型碳化硅MOSFETs的Spice电路模型 [C] . LI Yongjie ,李勇杰 ,CHEN Weiwei . 中国电源学会第二十一届学术年会 . 2015
7. 碳化硅MOSFET并联主动均流的研究 [A] . 张永刚 . 2021

日本三菱电子研发新结构碳化硅MOSFET 与传统碳化硅MOSFET相比导通电阻减少40、功耗减少20

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅