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一种改善硅片R型轮廓的边缘抛光工艺

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本发明公开了一种改善硅片R型轮廓的边缘抛光工艺，包括以下步骤：(1)对硅片进行寻参处理：使用边缘抛光机寻找硅片的V槽，使硅片的V槽与槽口抛光布对准；(2)对硅片的V槽进行抛光处理；(3)将完成V槽抛光的硅片进行对心处理，使硅片圆心与机台圆心对准；(4)将完成对心处理的硅片进行圆边边缘抛光处理，所使用的抛光鼓包括斜边抛光鼓和顶端抛光鼓，斜边抛光鼓加工角度范围为25°～70°，顶端抛光鼓加工角度为70°～90°。本发明通过改进圆边边缘抛光工艺，使用特殊构造的抛光鼓，并控制其中斜边抛光鼓与顶端抛光鼓的加工角度范围，使硅片整个边缘均匀抛光，避免固定角度的抛光鼓对边缘造成的局部过度抛光或失效抛光。

著录项

公开/公告号CN114300339A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-04-08

原文格式PDF
申请/专利权人山东有研艾斯半导体材料有限公司;
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申请/专利号CN202111502766.6
发明设计人路一辰;库黎明;王玥;陈海滨;陈信;刘云霞;闫志瑞;
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申请日2021-12-09
分类号H01L21/02(20060101);B24B37/11(20120101);
代理机构11100 北京北新智诚知识产权代理有限公司;
代理人刘秀青
地址 253012 山东省德州市经济技术开发区袁桥镇东方红路6596号中元科技创新创业园A座908室
入库时间 2023-06-19 14:48:21

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-04-08

公开

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