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低关断电流拖尾的超级结IGBT及其制作方法

摘要

本发明公开了一种低关断电流拖尾的超级结IGBT及其制作方法。所述超级结IGBT包括集电区、漂移区、外延层和阱区;漂移区内分布有超级结结构,超级结结构包含柱状结构;阱区上部形成有发射极,外延层和阱区内分布有栅极,每一发射极环绕相应的一个栅极的上部电性隔离设置,每一栅极的下部进入外延层;集电区下端与集电极电性结合;集电区、阱区、柱状结构均是第一导电类型的,漂移区、外延层、发射极均是第二导电类型的;柱状结构下端还与第二导电类型的高掺杂区电接触,高掺杂区分布在漂移区内且与集电区无接触。本发明提供的超级结IGBT降低了关断电流拖尾,进而降低了关断能量损耗。

著录项

  • 公开/公告号CN114335143A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-04-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳市千屹芯科技有限公司;

    申请/专利号CN202111638577.1

  • 发明设计人 祁金伟;

    申请日2021-12-29

  • 分类号H01L29/06(20060101);H01L29/739(20060101);H01L21/331(20060101);

  • 代理机构32256 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人王锋

  • 地址 518000 广东省深圳市宝安区新安街道海裕社区82区新湖路华美居商务中心A区612

  • 入库时间 2023-06-19 14:51:31

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-12

    公开

    发明专利申请公布

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