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一种Cu掺杂的Sb-Te体系相变材料、相变存储器及制备方法

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本发明提供了一种Cu掺杂的Sb2Te3体系相变材料、相变存储器及制备方法装置，属于微纳米电子技术领域。其中，Sb‑Te体系相变材料通过Cu元素掺杂，在局部富Cu的情况下形成同时具备四面体以及八面体结构的Cu3Te2键合。强键合的四面体结构提高Sb‑Te体系相变材料的非晶稳定性及数据保持能力，晶体构型八面体结构提高Sb‑Te体系相变材料的结晶速度。本发明还提供了包含该相变材料的相变存储器以及相变材料的制备方法。本发明的相变材料能同时改善器件的速度和非晶稳定性，提升相变存储器的综合性能。

著录项

公开/公告号CN114361335A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-04-15

原文格式PDF
申请/专利权人华中科技大学;
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申请/专利号CN202111535353.8
发明设计人程晓敏;曾运韬;缪向水;
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申请日2021-12-15
分类号H01L45/00;C23C14/06;C23C14/35;
代理机构武汉华之喻知识产权代理有限公司;
代理人王世芳;梁鹏
地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
入库时间 2023-06-19 14:56:10

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法律状态
2022-04-15

公开

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