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集成芯片和制造集成芯片的方法

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本发明的各个实施例针对集成芯片。集成芯片包括：半导体衬底，具有位于处理衬底上面的器件衬底以及设置在器件衬底和处理衬底之间的绝缘层。栅电极位于漏极区域和源极区域之间的器件衬底上面。导电通孔延伸穿过器件衬底和绝缘层以接触处理衬底。第一隔离结构设置在器件衬底内并且包括横向设置在栅电极和导电通孔之间的第一隔离段。接触区域设置在第一隔离段和导电通孔之间的器件衬底内。导电栅电极直接位于第一隔离段上面并且电耦接至接触区域。本申请的实施例还涉及制造集成芯片的方法。

著录项

公开/公告号CN114420692A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-04-29

原文格式PDF
申请/专利权人台湾积体电路制造股份有限公司;
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申请/专利号CN202210026168.4
发明设计人蒋昕志;林东阳;柳瑞兴;雷明达;
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申请日2022-01-11
分类号H01L27/088;H01L21/8234;
代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司;
代理人章社杲;李伟
地址中国台湾新竹
入库时间 2023-06-19 15:05:28

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-05-20

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/088 专利申请号:2022100261684 申请日:20220111

实质审查的生效

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