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择优取向的氮化铝薄膜的制备方法

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本申请公开了一种择优取向的氮化铝薄膜的制备方法，该择优取向的氮化铝薄膜的制备方法包括：提供一Si(111)衬底；将Si(111)衬底依次置入丙酮、酒精和去离子水中进行超声波水浴清洗，并将超声波水浴清洗后的Si(111)衬底置入氟化氢溶液中浸泡；将浸泡后的Si(111)衬底置入磁控溅射仪腔室中，并对磁控溅射仪腔室进行抽真空处理；将Si(111)衬底的温度提升至预设温度，并向磁控溅射仪腔室通入氮气和氩气；利用预设铝靶对Si(111)衬底进行溅射处理，以在Si(111)衬底生成AlN(110)薄膜。通过本方案可以制备择优取向的AlN(110)薄膜，进而提高声表面波器件的性能。

著录项

公开/公告号CN114481026A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-05-13

原文格式PDF
申请/专利权人深圳大学;
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申请/专利号CN202210072472.2
发明设计人罗景庭;郭峰;李志琼;付琛;陶然;
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申请日2022-01-21
分类号C23C14/06;C23C14/35;C23C14/02;
代理机构
代理人
地址 518000 广东省深圳市南山区南海大道3688号
入库时间 2023-06-19 15:19:48

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-05-31

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/06 专利申请号:2022100724722 申请日:20220121

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