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空穴线性Rashba自旋轨道耦合效应的增强方法

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本发明提出一种空穴线性Rashba自旋轨道耦合效应的增强方法，该方法在传统锗量子阱结构的基础上在界面处插入了一个或多个硅原子层，能够获得一个数量级提升的空穴线性Rashba自旋劈裂。本发明还提供了一种超晶格势垒替代硅锗合金势垒构建锗量子阱的更优方案，该方案在界面量子阱方案的基础上能够继续提升几倍的空穴线性Rashba效应。本发明涉及的锗量子阱结构深度兼容CMOS工艺，获得一个数量级提升的空穴线性Rashba效应将为锗量子点自旋量子比特的快速操控提供全新的解决方案。

著录项

公开/公告号CN114530497A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-05-24

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院半导体研究所;
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申请/专利号CN202210116157.5
发明设计人骆军委;熊嘉欣;刘洋;管闪;李树深;
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申请日2022-01-28
分类号H01L29/66;
代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人杜月
地址 100089 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2023-06-19 15:24:30

法律信息

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法律状态
2022-05-24

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发明专利申请公布

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机译： Ta非线性非线性燃料的燃料σκευπαρασκευηνεκρηξιγονωννμμζζωνχορηγουσωνοανδηποτετασιν和χρησιμοποισσντοπτ的目的是将PI，α和α的PI简化为α的产品，因此