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排除环、化学气相沉积机台及将于其上放置排除环的方法

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一种排除环、化学气相沉积机台及将于其上放置排除环的方法，排除环用在处理腔室，例如化学气相沉积腔室中以处理半导体基材。排除环包括第一对准结构，在晶圆的处理期间，第一对准结构与晶圆将放置的平台上的第二对准结构相配合。第一队准结构包含导引面，导引面促进第二对准结构在第一对准结构内的接收和定位。另提供排除环的使用方法。

著录项

公开/公告号CN114622186A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-06-14

原文格式PDF
申请/专利权人台湾积体电路制造股份有限公司;
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申请/专利号CN202110521761.1
发明设计人沈明毅;吴昕璘;戴遥烽;戴培原;陈志伟;周银铜;纪元兴;林生元;
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申请日2021-05-13
分类号C23C16/458;
代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司;
代理人徐金国
地址中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
入库时间 2023-06-19 15:39:57

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-06-14

公开

发明专利申请公布

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