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适用于8英寸硅片电阻率两山分布过程控制方法

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摘要

本发明涉及半导体加工领域。适用于8英寸硅片电阻率两山分布过程控制方法，在切片工艺之前，对晶棒沿着长度方向画设分批线；当晶棒的长度小于等于225mm时，分批线为一条油墨笔划出的直线；当晶棒的长度大于225mm时，从晶棒的头部开始用油墨笔画第一条直线到尾部，然后再用油墨笔从头部开始的226mm位置画至尾部的第二条直线，分批线为两条相互平行的直线；在倒角工艺前，将硅片上存有一道直线在一个批次倒角，将硅片上存有两道直线的另一个批次中倒角。本发明通过在晶棒切割之前增设有分批线，便于实现对硅片流转过程中对硅片在晶棒所处区域进行标定。简单，方便，杜绝了电阻率两山分布的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN114750308A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-07-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海中欣晶圆半导体科技有限公司;

    申请/专利号CN202210008578.6

  • 发明设计人 钱杨友;

    申请日2022-01-05

  • 分类号B28D5/00;B28D7/00;B28D7/04;H01L21/02;

  • 代理机构上海申浩律师事务所;

  • 代理人赵建敏

  • 地址 200444 上海市宝山区山连路181号1幢

  • 入库时间 2023-06-19 16:00:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-07-15

    公开

    发明专利申请公布

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