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具有六角板状晶相结构且高介高磁共存的Ba间隙掺杂钡铁氧体取向生长薄膜及其制备方法

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本发明公开了一种具有六角板状晶相结构且高介高磁共存的Ba间隙掺杂钡铁氧体取向生长薄膜及其制备方法。所述薄膜为单相材料，是通过单晶硅基板与钡铁氧体膜层中氧的作用，在高温下形成氧化硅层的同时诱导在基板方向氧密排面形成，且基于氧化硅的六方晶形诱导钡铁氧体形成(00l)定向生长的六角板状钡铁氧体晶粒；制备得到的Ba间隙掺杂六角板状钡铁氧体取向生长薄膜，具有在平行于薄膜方向超高介电性能，介电常数高达～107；在易磁化轴c轴方向贡献高剩磁比，高达90％；薄膜饱和磁化强度100emu/cc。本发明制备方法简单、可控性强、制备周期短、成本低廉。这种钡铁氧体薄膜可以在介电材料以及功能器件领域得到应用。

著录项

公开/公告号CN115124334A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-09-30

原文格式PDF
申请/专利权人浙江大学;杭州绿联研究院有限公司;
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申请/专利号CN202210855296.X
发明设计人杜丕一;吕爽;戴正冠;马宁;樊谊军;何旭昭;王宗荣;
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申请日2022-07-19
分类号C04B35/26;C04B35/622;H01F1/01;
代理机构杭州求是专利事务所有限公司;
代理人万尾甜;韩介梅
地址 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
入库时间 2023-06-19 17:01:21

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2022-09-30

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